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設(shè)計(jì)工具IDE
設(shè)計(jì)類型精簡(jiǎn)
用途電子
品牌普冉
PY32F002BW15
表 5-11 外部高速時(shí)鐘特性
符號(hào)
參數(shù)(1)
較小值
典型值
較大值
單位
fHSE_ext
用戶外部時(shí)鐘頻率
0
4
32
MHz
VHSEH
輸入引腳高電平電壓
0.7*VCC
VCC
V
VHSEL
輸入引腳低電平電壓
Vss
0.3*VCC
V
tW(HSEH)
tW(HSEL)
輸入高或低的時(shí)間
15
ns
tr(HSE)
tf(HSE)
輸入上升/下降的時(shí)間
-
20
ns
（
3） 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測(cè)試。
5.3.6.2. 外部低速時(shí)鐘
在 LSE 的 bypass 模式(RCC_BDCR 的 LSEBYP 置位)，芯片內(nèi)的低速起振電路停止工作，相應(yīng)的 IO 作為
標(biāo)準(zhǔn)的 GPIO 使用。
t
10%
tr(LSE)
TLSE
tf(LSE)
Tw(LSEH)
Tw(LSEL)
VLSEH
VLSEL
圖 5-2 外部低速時(shí)鐘時(shí)序圖
表 5-12 外部低速時(shí)鐘特性
符號(hào)
參數(shù)(1)
較小值
典型值
較大值
單位
fLSE_ext
用戶外部時(shí)鐘頻率
32.768
1000
KHz
VLSEH
輸入引腳高電平電壓
0.7*VCC
V
VLSEL
輸入引腳低電平電壓
0.3*VCC
V
tW(LSEH)
tW(LSEL)
輸入高或低的時(shí)間
450
ns
tr(LSE)
tf(LSE)
輸入上升/下降的時(shí)間
-
50
ns
（1） 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測(cè)試。
5.3.6.3. 外部低速晶體
可以通過外接 32.768KHz 的晶體/陶瓷諧振器。在應(yīng)用中，晶體和負(fù)載電容應(yīng)該盡可能靠近管腳，這樣可以
使輸出變形和啟動(dòng)穩(wěn)定時(shí)間較小化。
表 5-13 外部低速晶體特性
符號(hào)
參數(shù)
條件(1)
較小值
典型值
較大值
單位
IDD(4)
LSE_DRIVER [1:0] = 00
100
nAPY32F002B Datasheet
35/50
符號(hào)
參數(shù)
條件(1)
較小值
典型值
較大值
單位
LSE 功耗
LSE_DRIVER [1:0] = 01
700
LSE_DRIVER [1:0] = 10
1200
LSE_DRIVER [1:0] = 11
1600
tSU(LSE)(3) (4)
啟動(dòng)時(shí)間
3
s
（1） 晶體/陶瓷諧振器特性基于制造商給出的數(shù)據(jù)手冊(cè)。
（
2） 由設(shè)計(jì)保證，不在生產(chǎn)中測(cè)試。
（
3）
tSU(LSE)是從啟用(通過軟件)到時(shí)鐘振蕩達(dá)到穩(wěn)定的啟動(dòng)時(shí)間，針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)晶體/諧振器測(cè)量的，不同晶體/
諧振器可能會(huì)有很大差異
（
4） 數(shù)據(jù)基于考核結(jié)果，不在生產(chǎn)中測(cè)試。
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